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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
DMP2005UFG-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMP2005UFG-7-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Inventar:
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EINREICHEN
DMP2005UFG-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
89A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4670 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMP2005
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
DMP2005UFG-7
HTML-Datenblatt
DMP2005UFG-7-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMP2005UFG-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
756
TEILNUMMER
DMP2005UFG-13-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
TPN4R712MD,L1Q
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
7052
TEILNUMMER
TPN4R712MD,L1Q-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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