Hersteller Produktnummer:
DMN3016LFDE-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3016LFDE-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventar:
29354 Stück Neu Original Auf Lager
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DMN3016LFDE-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1415 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
730mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / Koffer
6-PowerUDFN
Basis-Produktnummer
DMN3016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DMN3016LFDE-13DI-DG
DMN3016LFDE-13DI
DMN3016LFDE-13DICT
DMN3016LFDE-13DIDKR
DMN3016LFDE-13DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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