Hersteller Produktnummer:
TPN4R712MD,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPN4R712MD,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
7052 Stück Neu Original Auf Lager
12890723
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TPN4R712MD,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4300 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN4R712
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPN4R712MDL1QTR
TPN4R712MDL1QDKR
TPN4R712MDL1QCT
TPN4R712MD,L1Q(M
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
