Hersteller Produktnummer:
DMN61D8LVT-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN61D8LVT-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Inventar:
9150 Stück Neu Original Auf Lager
12901235
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DMN61D8LVT-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
630mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12.9pF @ 12V
Leistung - Max
820mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-26
Basis-Produktnummer
DMN61
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DMN61D8LVT-13DICT
DMN61D8LVT-13DITR-DG
DMN61D8LVT-13DITR
31-DMN61D8LVT-13DKR
DMN61D8LVT-13DIDKR-DG
31-DMN61D8LVT-13TR
DMN61D8LVT-13DICT-DG
DMN61D8LVT-13DIDKR
31-DMN61D8LVT-13CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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