Hersteller Produktnummer:
DMN3035LWN-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3035LWN-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 5.5A (Ta) Surface Mount V-DFN3020-8
Inventar:
12901204
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DMN3035LWN-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
399pF @ 15V
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
V-DFN3020-8
Basis-Produktnummer
DMN3035
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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