Hersteller Produktnummer:
DMN1032UCB4-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN1032UCB4-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
Inventar:
12887394
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DMN1032UCB4-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-WLB1010-4
Paket / Koffer
4-UFBGA, WLBGA
Basis-Produktnummer
DMN1032
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN1032UCB4-7DIDKR
DMN1032UCB4-7DICT
DMN1032UCB4-7DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PMCM6501VNEZ
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
2022638
TEILNUMMER
PMCM6501VNEZ-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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