PMCM6501VNEZ
Hersteller Produktnummer:

PMCM6501VNEZ

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PMCM6501VNEZ-DG

Beschreibung:

PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 7.3A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)

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PMCM6501VNEZ Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-WLCSP (1.48x0.98)
Paket / Koffer
6-XFBGA, WLCSP

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,528
Andere Namen
NEXNEXPMCM6501VNEZ
2156-PMCM6501VNEZ

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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