Hersteller Produktnummer:
AOT8N65
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOT8N65-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12845778
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AOT8N65 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.15Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AOT8
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
5202-AOT8N65
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP9NK65Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STP9NK65Z-DG
Einheitspreis
1.54
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRFB9N65APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
912
TEILNUMMER
IRFB9N65APBF-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
TK7E80W,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
40
TEILNUMMER
TK7E80W,S1X-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXFP10N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
242
TEILNUMMER
IXFP10N80P-DG
Einheitspreis
2.72
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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