Hersteller Produktnummer:
TK7E80W,S1X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK7E80W,S1X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
40 Stück Neu Original Auf Lager
12891325
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TK7E80W,S1X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TK7E80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK7E80WS1X
TK7E80W,S1X(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP9N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
963
TEILNUMMER
STP9N65M2-DG
Einheitspreis
0.64
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