Hersteller Produktnummer:
STP9NK65Z
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP9NK65Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 6.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12870519
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STP9NK65Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
SuperMESH™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1145 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP9NK65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB9N65APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
912
TEILNUMMER
IRFB9N65APBF-DG
Einheitspreis
1.19
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