Hersteller Produktnummer:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Hersteller:
WeEn Semiconductors
Teilenummer:
PHE13009/DG,127-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 400V 12A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Inventar:
13480861
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PHE13009/DG,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
WeEn Semiconductors
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 1.6A, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 5A, 5V
Leistung - Max
80 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Basis-Produktnummer
PHE13
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
934065587127
568-12108-5-ND
1740-1200
568-12108-ND
PHE13009DG127
PHE13009/DG,127-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FJP13009TU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
351
TEILNUMMER
FJP13009TU-DG
Einheitspreis
0.37
ERSATZART
Direct
Teilenummer
ST13009
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
502
TEILNUMMER
ST13009-DG
Einheitspreis
0.67
ERSATZART
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