BUJ403A/DG,127
Hersteller Produktnummer:

BUJ403A/DG,127

Product Overview

Hersteller:

WeEn Semiconductors

Teilenummer:

BUJ403A/DG,127-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 550V 6A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 550 V 6 A 100 W Through Hole TO-220AB

Inventar:

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13481075
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BUJ403A/DG,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
WeEn Semiconductors
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
550 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
100 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Basis-Produktnummer
BUJ403

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BUJ403A

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
934065586127
BUJ403ADG127

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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