SUP53P06-20-E3

Hersteller Produktnummer:

SUP53P06-20-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SUP53P06-20-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 60 V 9.2A (Ta), 53A (Tc) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

3176 Stück Neu Original Auf Lager

13008159

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

SUP53P06-20-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

Tube

Reihe

TrenchFET®

Verpackung

Tube

Status des Teils

Active

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

9.2A (Ta), 53A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

115 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

3500 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 104.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

TO-220AB

Paket / Koffer

TO-220-3

Basis-Produktnummer

SUP53

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

SUP53P06-20-E3-DG

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

vishay

SIRA60DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay

SIHW47N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD

vishay

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

vishay

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8