Hersteller Produktnummer:
SIRA60DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIRA60DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
9703 Stück Neu Original Auf Lager
13008178
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SIRA60DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.94mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7650 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
57W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIRA60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
DIGI-Zertifizierung
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