Hersteller Produktnummer:
SQP25N15-52_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQP25N15-52_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 25A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
13061195
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SQP25N15-52_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SQP25
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SQP25N15-52_GE3TR-ND
SQP25N15-52_GE3DKRINACTIVE
SQP25N15-52_GE3CT-ND
SQP25N15-52_GE3TR
SQP25N15-52_GE3CT
SQP25N15-52_GE3TRINACTIVE
SQP25N15-52_GE3DKR-ND
SQP25N15-52_GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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