Hersteller Produktnummer:
SI4190DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4190DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 20A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
13061369
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Menge
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EINREICHEN
SI4190DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Verpackung
Cut Tape (CT)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4190DYT1GE3
SI4190DY-T1-GE3TR
SI4190DY-T1-GE3DKR
SI4190DY-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI4190ADY-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SI4190ADY-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.69
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDS86140
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FDS86140-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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