SQD40N06-14L_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQD40N06-14L_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQD40N06-14L_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

5837 Stück Neu Original Auf Lager
13008759
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQD40N06-14L_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2105 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SQD40

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay

SIS456DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

vishay

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6

vishay

SUD50N04-16P-E3

MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252

vishay

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8