SIA459EDJ-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIA459EDJ-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIA459EDJ-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventar:

15828 Stück Neu Original Auf Lager
13008977
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SIA459EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
885 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer
SIA459

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay

SUD50N04-16P-E3

MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252

vishay

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

vishay

SISS27DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

vishay

SIHH14N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8