SQ2337ES-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQ2337ES-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQ2337ES-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

14972 Stück Neu Original Auf Lager
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SQ2337ES-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Last Time Buy
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
620 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SQ2337

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Alternative Modelle

Teilenummer
SQ2337ES-T1_BE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
284851
TEILNUMMER
SQ2337ES-T1_BE3-DG
Einheitspreis
0.20
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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