Hersteller Produktnummer:
SIR892DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR892DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
13061698
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Menge
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SIR892DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2645 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR892
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR892DP-T1-GE3CT
SIR892DP-T1-GE3TR
SIR892DPT1GE3
SIR892DP-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIRC10DP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5967
TEILNUMMER
SIRC10DP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
CSD16407Q5
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
5527
TEILNUMMER
CSD16407Q5-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
CSD16403Q5A
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
15044
TEILNUMMER
CSD16403Q5A-DG
Einheitspreis
0.63
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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