SQM120N10-09_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQM120N10-09_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQM120N10-09_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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SQM120N10-09_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8645 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SQM120

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQM120N10-09_GE3
HTML-Datenblatt
SQM120N10-09_GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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