Hersteller Produktnummer:
SIHD14N60E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHD14N60E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
1269 Stück Neu Original Auf Lager
13005966
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SIHD14N60E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1205 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD14
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
DIGI-Zertifizierung
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