SQJ464EP-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQJ464EP-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJ464EP-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 32A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

11585 Stück Neu Original Auf Lager
13006098
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SQJ464EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2086 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SQJ464

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQJ464EP-T1_GE3
HTML-Datenblatt
SQJ464EP-T1_GE3-DG
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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