Hersteller Produktnummer:
SI7882DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7882DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
13059214
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SI7882DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7882
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7882DPT1GE3
SI7882DP-T1-GE3TR
SI7882DP-T1-GE3CT
SI7882DP-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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