Hersteller Produktnummer:
SIB415DK-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIB415DK-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventar:
13059382
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SIB415DK-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 4.17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.05 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
295 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-75-6
Basis-Produktnummer
SIB415
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIB415DKT1GE3
SIB415DK-T1-GE3DKR
SIB415DK-T1-GE3CT
SIB415DK-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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