SUP85N02-03-E3
Hersteller Produktnummer:

SUP85N02-03-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SUP85N02-03-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 85A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12919276
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SUP85N02-03-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
450mV @ 2mA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
21250 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SUP85

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SUP85N02-03-E3
HTML-Datenblatt
SUP85N02-03-E3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIR468DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHFS11N50A-GE3

MOSFET N-CH 500V 11A TO263

vishay-siliconix

SQM50N04-4M1_GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO263

nexperia

BUK7Y3R5-40E,115

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56