Hersteller Produktnummer:
SIHFS11N50A-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHFS11N50A-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12919282
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIHFS11N50A-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1423 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHFS11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFS11N50ATRLP
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
325
TEILNUMMER
IRFS11N50ATRLP-DG
Einheitspreis
1.26
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQM50N04-4M1_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
BUK7Y3R5-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
