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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SQS401ENW-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQS401ENW-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Inventar:
Angebot Anfrage Online
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EINREICHEN
SQS401ENW-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1875 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8W
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8W
Basis-Produktnummer
SQS401
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SQS401ENW-T1_GE3
HTML-Datenblatt
SQS401ENW-T1_GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQS401ENW-T1_GE3DKR
SQS401ENW-T1_GE3TR
SQS401ENW-T1_GE3CT
SQS401ENW-T1_GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SQS411ENW-T1_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5355
TEILNUMMER
SQS411ENW-T1_GE3-DG
Einheitspreis
0.27
ERSATZART
Direct
Teilenummer
SQS401EN-T1_BE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
110817
TEILNUMMER
SQS401EN-T1_BE3-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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