Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SQP120N10-09_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQP120N10-09_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
229 Stück Neu Original Auf Lager
12915928
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQP120N10-09_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8645 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SQP120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SQP120N10-09_GE3
HTML-Datenblatt
SQP120N10-09_GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SQP120N10-09_GE3TRINACTIVE
SQP120N10-09_GE3CT-DG
SQP120N10-09_GE3DKR-DG
SQP120N10-09_GE3CT
SQP120N10-09_GE3TR
SQP120N10-09_GE3DKR
SQP120N10-09_GE3DKRINACTIVE
SQP120N10-09_GE3TR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK34E10N1,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
5
TEILNUMMER
TK34E10N1,S1X-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPP100N08N3GXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
587
TEILNUMMER
IPP100N08N3GXKSA1-DG
Einheitspreis
1.00
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
AOT288L
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
AOT288L-DG
Einheitspreis
0.76
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPP083N10N5AKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPP083N10N5AKSA1-DG
Einheitspreis
0.71
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDP085N10A-F102
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
798
TEILNUMMER
FDP085N10A-F102-DG
Einheitspreis
1.12
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI7862ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
SI3440ADV-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
SI7664DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SQD50P08-28_GE3
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA