SI7862ADP-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI7862ADP-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI7862ADP-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 16 V 18A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12915930
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SI7862ADP-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
16 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 29A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7340 pF @ 8 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7862

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI7862ADP-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI7862ADP-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI3440ADV-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7664DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQD50P08-28_GE3

MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

vishay-siliconix

SQD50P03-07_GE3

MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA