Hersteller Produktnummer:
SQM110N05-06L_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQM110N05-06L_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
1525 Stück Neu Original Auf Lager
12787224
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SQM110N05-06L_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4440 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
157W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SQM110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
SQM110N05-06L_GE3TR
SQM110N05-06L_GE3DKR
SQM110N05-06L-GE3-DG
SQM110N05-06L-GE3
SQM110N05-06L_GE3-DG
SQM110N05-06L_GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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