SQV120N06-4M7L_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQV120N06-4M7L_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQV120N06-4M7L_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventar:

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SQV120N06-4M7L_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
SQV120

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQV120N06-4M7L_GE3
HTML-Datenblatt
SQV120N06-4M7L_GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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