Hersteller Produktnummer:
SQJQ910EL-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJQ910EL-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Inventar:
18 Stück Neu Original Auf Lager
12917162
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SQJQ910EL-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2832pF @ 50V
Leistung - Max
187W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Basis-Produktnummer
SQJQ910
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SQJQ910EL-T1_GE3DKR
SQJQ910EL-T1_GE3-DG
SQJQ910EL-T1_GE3TR
SQJQ910EL-T1_GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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