Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SQ1902AEL-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQ1902AEL-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 780mA (Tc) 430mW Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12917186
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQ1902AEL-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
780mA (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
415mOhm @ 660mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
75pF @ 10V
Leistung - Max
430mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer
SQ1902
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SQ1902AEL-T1_GE3
HTML-Datenblatt
SQ1902AEL-T1_GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQ1902AEL-T1_GE3TR
SQ1902AEL-T1_GE3DKR
SQ1902AEL-T1_GE3-DG
SQ1902AEL-T1_GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SQ1912AEEH-T1_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
8058
TEILNUMMER
SQ1912AEEH-T1_GE3-DG
Einheitspreis
0.12
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI6969DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
SI6966DQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8