SQ1902AEL-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQ1902AEL-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQ1902AEL-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 780mA (Tc) 430mW Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventar:

12917186
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQ1902AEL-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
780mA (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
415mOhm @ 660mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
75pF @ 10V
Leistung - Max
430mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer
SQ1902

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQ1902AEL-T1_GE3TR
SQ1902AEL-T1_GE3DKR
SQ1902AEL-T1_GE3-DG
SQ1902AEL-T1_GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SQ1912AEEH-T1_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
8058
TEILNUMMER
SQ1912AEEH-T1_GE3-DG
Einheitspreis
0.12
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI6969DQ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP

vishay-siliconix

SI6966DQ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

vishay-siliconix

SQJ974EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8