SQJQ904E-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQJQ904E-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJQ904E-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 100A (Tc) 75W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual

Inventar:

1243 Stück Neu Original Auf Lager
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SQJQ904E-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5900pF @ 20V
Leistung - Max
75W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Basis-Produktnummer
SQJQ904

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQJQ904E-T1_GE3
HTML-Datenblatt
SQJQ904E-T1_GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SQJQ904E-T1_GE3DKR
SQJQ904E-T1_GE3CT
SQJQ904E-T1_GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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