Hersteller Produktnummer:
VQ1001P-2
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
VQ1001P-2-DG
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Inventar:
12787764
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Menge
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VQ1001P-2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
4 N-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
830mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
110pF @ 15V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
-
Gerätepaket für Lieferanten
14-DIP
Basis-Produktnummer
VQ1001
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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