Hersteller Produktnummer:
SQJQ112E-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJQ112E-T1_GE3-DG
Beschreibung:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
12965597
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQJQ112E-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
296A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
272 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15945 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer
PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
SIR182LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
SIHA21N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST