Hersteller Produktnummer:
SIR182LDP-T1-RE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR182LDP-T1-RE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 31.7A (Ta), 130A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
7799 Stück Neu Original Auf Lager
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SIR182LDP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31.7A (Ta), 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3700 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIR182LDP-T1-RE3DKR
742-SIR182LDP-T1-RE3CT
742-SIR182LDP-T1-RE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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