Hersteller Produktnummer:
SQJ204EP-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJ204EP-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Inventar:
9000 Stück Neu Original Auf Lager
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SQJ204EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Leistung - Max
27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Basis-Produktnummer
SQJ204
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQJ204EP-T1_GE3DKR
SQJ204EP-T1_GE3CT
SQJ204EP-T1_GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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