SIA918EDJ-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIA918EDJ-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIA918EDJ-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventar:

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SIA918EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
7.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer
SIA918

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIA918EDJ-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIA918EDJ-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA918EDJ-T1-GE3DKR
SIA918EDJ-T1-GE3CT
SIA918EDJ-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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