Hersteller Produktnummer:
SQD19P06-60L_T4GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQD19P06-60L_T4GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
6962 Stück Neu Original Auf Lager
12916763
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQD19P06-60L_T4GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
46W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SQD19
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SQD19P06-60L_T4GE3CT
SQD19P06-60L_T4GE3TR
SQD19P06-60L_T4GE3-DG
SQD19P06-60L_T4GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQR40030ER_GE3
MOSFET N-CH 40V TO252 REVERSE
SQM120N06-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
SIHF22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO220
