Hersteller Produktnummer:
SUP85N10-10-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SUP85N10-10-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
384 Stück Neu Original Auf Lager
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SUP85N10-10-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SUP85
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SUP85N10-10-E3TR
SUP85N10-10-E3TR-DG
SUP85N10-10-E3TRINACTIVE
SUP85N10-10-E3CT-DG
SUP85N10-10-E3CT
SUP85N1010E3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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