Hersteller Produktnummer:
SQD10N30-330H_4GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQD10N30-330H_4GE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 10A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
1801 Stück Neu Original Auf Lager
12977710
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SQD10N30-330H_4GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2190 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
742-SQD10N30-330H_4GE3CT
742-SQD10N30-330H_4GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SQD10N30-330H_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2613
TEILNUMMER
SQD10N30-330H_GE3-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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