Hersteller Produktnummer:
SI3499DV-T1-BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI3499DV-T1-BE3-DG
Beschreibung:
P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 8 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
1370 Stück Neu Original Auf Lager
12977714
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SI3499DV-T1-BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
750mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI3499DV-T1-BE3DKR
742-SI3499DV-T1-BE3CT
742-SI3499DV-T1-BE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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