SQ3481EV-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQ3481EV-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQ3481EV-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 7.5A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

4043 Stück Neu Original Auf Lager
12916914
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQ3481EV-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
SQ3481

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQ3481EV-T1_GE3CT
SQ3481EV-T1_GE3-DG
SQ3481EV-T1_GE3DKR
SQ3481EV-T1_GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIR880DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHG73N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

vishay-siliconix

SIHH21N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8

vishay-siliconix

SI7860DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8