SIHH21N65EF-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHH21N65EF-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHH21N65EF-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 19.8A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

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675 Stück Neu Original Auf Lager
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SIHH21N65EF-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2396 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
SIHH21

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIHH21N65EF-T1-GE3DKR
SIHH21N65EF-T1-GE3CT
SIHH21N65EF-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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