SIZ342DT-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIZ342DT-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIZ342DT-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)

Inventar:

18593 Stück Neu Original Auf Lager
12787353
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SIZ342DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
-
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
650pF @ 15V
Leistung - Max
3.6W, 4.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-Power33 (3x3)
Basis-Produktnummer
SIZ342

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIZ342DT-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIZ342DT-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIZ342DT-T1-GE3CT
SIZ342DT-T1-GE3DKR
SIZ342DT-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIA936EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE

vishay-siliconix

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR