SQUN702E-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQUN702E-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQUN702E-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V, 200V 30A (Tc), 20A (Tc) 48W (Tc), 60W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank Die

Inventar:

12787519
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQUN702E-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V, 200V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc), 20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
Leistung - Max
48W (Tc), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
Die
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Basis-Produktnummer
SQUN702

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SQUN702E-T1_GE3DKR
SQUN702E-T1_GE3CT
SQUN702E-T1_GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR

vishay-siliconix

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR

vishay-siliconix

SI9934BDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

vishay-siliconix

SIZ902DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR