SIZ320DT-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIZ320DT-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIZ320DT-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 25V 30A (Tc), 40A (Tc) 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)

Inventar:

6075 Stück Neu Original Auf Lager
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SIZ320DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerPAIR®, TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc), 40A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Leistung - Max
16.7W, 31W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-Power33 (3x3)
Basis-Produktnummer
SIZ320

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIZ320DT-T1-GE3DKR
SIZ320DT-T1-GE3TR
SIZ320DT-T1-GE3CT
SIZ320DT-T1-GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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