SI5938DU-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI5938DU-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI5938DU-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

Inventar:

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SI5938DU-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
520pF @ 10V
Leistung - Max
8.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® ChipFet Dual
Basis-Produktnummer
SI5938

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5938DU-T1-GE3TR
SI5938DU-T1-E3CT
SI5938DU-T1-GE3CT
SI5938DU-T1-GE3TR-DG
SI5938DU-T1-E3DKR
SI5938DU-T1-GE3DKR
SI5938DU-T1-GE3CT-DG
SI5938DU-T1-GE3
SI5938DUT1E3
SI5938DU-T1-GE3DKR-DG
SI5938DU-T1-E3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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